[发明专利]湿浸式光刻系统中用于清洗半导体衬底的方法和设备有效
| 申请号： | 200510083062.4 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1776531A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·J·霍尔默斯;马克·C·黑基;古川俊治;戴维·V·霍勒克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法和设备，用于减少和防止残留物的形成，并移去在湿浸式光刻工具中形成的残留物。该设备包括在湿浸式光刻系统的湿浸头内引入清洗机制，或包括在湿浸式光刻系统的清洗台中引入清洗机制。 | ||
| 搜索关键词： | 湿浸式 光刻 系统 用于 清洗 半导体 衬底 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：一个腔室，具有顶部和侧壁及底部开口，所述顶部对选择的光波长透明；入口和出口，在所述腔室的所述侧壁中；一个板，从所述腔室的底部边缘向外延伸；一组同心沟槽，形成在所述板的底表面中，所述沟槽以所述腔室为中心，用于向所述一组沟槽的第一沟槽和第四沟槽施加真空的装置，所述第一沟槽最接近所述腔室的所述底部开口；用于向所述一组沟槽的第二沟槽和第五沟槽供给惰性气体或所述惰性气体和溶剂蒸汽混合物的装置，所述第二沟槽在所述第一和所述第四沟槽之间，而所述第五沟槽在所述第四沟槽的外侧；和用于向所述一组沟槽的第三沟槽供给清洗流体的装置，所述第三沟槽在所述第二沟槽和所述第四沟槽之间。
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