[发明专利]薄膜半导体器件及电光装置、其制造方法及中间掩模有效
申请号: | 200510083189.6 | 申请日: | 2003-02-11 |
公开(公告)号: | CN1722450A | 公开(公告)日: | 2006-01-18 |
发明(设计)人: | 天野隆祐;北和田清文 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供在薄膜的图形化中,即便是具有该图形上相交部分,在该薄膜的下部也不会产生底蚀的薄膜半导体器件及其制造方法。解决方式是半导体膜(1)具有含有曲折形状或突出形状的图形。此外,对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分的同时彼此邻接的一个线段(1AR)和另一个线段(1BU)来说,在该一个线段和另一个线段的端部间存在着别的线段(1X),该别的线段与上述一个线段所构成的夹角以及该别的线段与上述另一个线段所构成的夹角,形成大于90度小于180的平滑相交部分(1K)。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 半导体器件 电光 装置 制造 方法 中间 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜半导体器件,是具备具有包括曲折形状或突出形状图形,由导电性材料构成的薄膜的薄膜半导体器件,其特征在于:对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分,同时,彼此相邻的一条线段和另外的线段中的至少一组来说,在该一条线段的端部和该另外的线段的端部间存在着别的线段,该别的线段与上述一条线段所构成的夹角以及该别的线段与该另外的线段所构成的夹角,形成大于90度小于180度的平滑相交部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的