[发明专利]薄膜半导体器件及电光装置、其制造方法及中间掩模有效

专利信息
申请号: 200510083189.6 申请日: 2003-02-11
公开(公告)号: CN1722450A 公开(公告)日: 2006-01-18
发明(设计)人: 天野隆祐;北和田清文 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供在薄膜的图形化中,即便是具有该图形上相交部分,在该薄膜的下部也不会产生底蚀的薄膜半导体器件及其制造方法。解决方式是半导体膜(1)具有含有曲折形状或突出形状的图形。此外,对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分的同时彼此邻接的一个线段(1AR)和另一个线段(1BU)来说,在该一个线段和另一个线段的端部间存在着别的线段(1X),该别的线段与上述一个线段所构成的夹角以及该别的线段与上述另一个线段所构成的夹角,形成大于90度小于180的平滑相交部分(1K)。
搜索关键词: 薄膜 半导体器件 电光 装置 制造 方法 中间
【主权项】:
1.一种薄膜半导体器件,是具备具有包括曲折形状或突出形状图形,由导电性材料构成的薄膜的薄膜半导体器件,其特征在于:对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分,同时,彼此相邻的一条线段和另外的线段中的至少一组来说,在该一条线段的端部和该另外的线段的端部间存在着别的线段,该别的线段与上述一条线段所构成的夹角以及该别的线段与该另外的线段所构成的夹角,形成大于90度小于180度的平滑相交部分。
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