[发明专利]像素电极的开关元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510083226.3 | 申请日： | 2005-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1728403A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 方国龙;蔡文庆;杜国源;林汉涂 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种像素电极的开关元件及其制造方法，适用于显示器，首先形成一栅极于一基板上方。之后，形成一栅极绝缘层于该栅极上方。其中，还包括形成一缓冲层于该栅极与该基板之间以及/或位于该栅极与该栅极绝缘层之间。其中，该缓冲层包括硅化钽、氮硅化钽、硅化钛、氮硅化钛、硅化钨、氮硅化钨、或氮碳化钨。然后，形成一半导体层于该栅极绝缘层上方，并且形成一源/漏极于部分该半导体层上方。其中，该栅极被该缓冲层覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 电极 开关 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种像素电极的开关元件，适用于平面显示器，包括：栅极，位于一基板上方；栅极绝缘层，位于该栅极上方；第一缓冲层，位于该栅极与该基板之间以及/或位于该栅极与该栅极绝缘层之间，其中该缓冲层包括硅化钽(TaSix)、氮硅化钽(TaSixNy)、硅化钛(TiSix)、氮硅化钛(TiSixNy)、硅化钨(WSix)、氮硅化钨(WSixNy)、或氮碳化钨(WCxNy)；半导体层，位于该栅极绝缘层上方；以及源/漏极，位于部分该半导体层上方。
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