[发明专利]制造衬底材料的方法以及半导体衬底材料有效
| 申请号： | 200510083281.2 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1722365A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·W·贝德尔;陈华杰;基斯·E·福格尔;德温德拉·K·萨达纳;哈瓦姆·G·沙西迪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用来制造面缺陷密度降低了的基本上弛豫的SiGe合金层的方法。本发明的方法包括：在含硅衬底的表面上形成应变的含锗层；在含锗层/含硅衬底界面处或此界面下方注入离子；以及进行加热，以便形成面缺陷密度降低了的基本上弛豫的SiGe合金层。还提供了具有面缺陷密度降低了的SiGe层的基本上弛豫的绝缘体上SiGe衬底材料以及包含此衬底材料的异质结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 衬底 材料 方法 以及 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种制造弛豫SiGe合金层的方法，它包含下列步骤：在含硅衬底的表面上形成具有应变的含锗层；注入离子，以便在所述含锗层与所述含硅衬底之间的界面处或所述界面下方产生损伤区；以及在形成至少基本上弛豫的SiGe合金层的温度下，对包含所述损伤区的所述含锗层和所述含硅衬底进行加热，其中，所述损伤区在所述加热步骤中抑制了面缺陷的形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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