[发明专利]高压元件结构有效
| 申请号： | 200510083341.0 | 申请日： | 2005-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1897302A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 陈立哲;林志宏;陈辉煌;刘纪纬;刘景宏;董明宗;林建民;陈荣庆 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高压元件结构，其包含一高压元件设于一具有有源区域与隔离区域的半导体基底中且位于该有源区域内。该高压元件具有一第一导电类型的源极扩散区、一第一导电类型的漏极扩散区、以及一较该源极扩散区与漏极扩散区长的导体栅极，且该导体栅极在源极扩散区与漏极扩散区两侧形成两突出区域。该隔离区域位于该有源区域的外围，且包围该有源区域。于该隔离区域中设有第二导电类型的隔离离子注入区以及一第二导电类型的延长离子注入区设于该突出区域下方，以防止该漏极扩散区与该源极扩散区间产生寄生电流(parasiticalcurrent)。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高压元件结构，该高压元件设于一具有有源区域与隔离区域的半导体基底中且位于该有源区域内，该高压元件结构包括：一第一导电类型的第一离子注入区及一第一导电类型的第二离子注入区设于该基底的有源区域中；一源极扩散区及一漏极扩散区分别设于该第一离子注入区与该第二离子注入区中；一通道扩散区，设于该基底中的该第一离子注入区与该第二离子注入区之间，并连接该两离子注入区；一导体栅极，设于该源极扩散区与该漏极扩散区之间并位于该通道扩散区上方，且该导体栅极较该源极扩散区及该漏极扩散区长，以于其两侧分别形成二突出区域；一第二导电类型的隔离离子注入区，设于该隔离区域中；以及一第二导电类型的延长离子注入区，设于该导体栅极的突出区域下方。
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