[发明专利]半导体器件和MIM电容器

摘要

本发明公开一种半导体器件及MIM电容器，该MIM电容器包括：第一和第二导体图形，埋置在第一层间绝缘膜中而以彼此相对的关系连续延伸并形成梳状电容器的一部分；第三和第四导体图形，形成在经由过孔绝缘膜与第一层间绝缘膜分开的第二层间绝缘膜中，从而第三和第四导体图形作为梳状电容器的一部分以彼此相对的关系在第二层间绝缘膜中连续延伸，以及其中，与第一、第三导体图形相对应地形成在过孔绝缘膜中连续延伸的第五导体图形，以将第一和第三导体图形连续连接，与第二、第四导体图形相对应地形成在过孔绝缘膜中连续延伸的第六导体图形，以将第二和第四导体图形连续连接。使用本发明，即使半导体集成电路被微型化，仍可以确保足够的电容和减少寄生电容。

主权项

1.一种半导体器件，其具有在多层互连结构中的MIM电容器，所述多层互连结构包括：第一互连层，埋置在第一层间绝缘膜中；第二层间绝缘膜，在所述第一层间绝缘膜上形成；第三层间绝缘膜，经由所述第二层间绝缘膜，在所述第一层间绝缘膜上方形成；第二互连层，埋置在所述第三层间绝缘膜中；以及过孔栓，在所述第二层间绝缘膜中形成，以将所述第一互连层电连接至所述第二互连层，所述第一互联层包括第一和第二导体图形，所述第一和第二导体图形埋置在所述第一层间绝缘膜中，并以彼此相对的关系在所述第一层间绝缘膜中连续延伸，所述第二互联层包括第三和第四互连图形，所述第三和第四互连图形与所述第一和第二导体图形相对应地分别埋置在所述第三层间绝缘膜中，所述第三和第四导体图形以彼此相对的关系在所述第三层间绝缘膜中连续延伸，其中，所述第二层间绝缘膜包括第五导体图形，所述第五导体图形埋置在所述第二层间绝缘膜中而与所述第一和第三导体图形相对应地在所述第二层间绝缘膜中连续延伸，所述第五导体图形将所述第一和第三导体图形连续连接，所述第二层间绝缘膜还包括第六导体图形，所述第六导体图形埋置在所述第二层间绝缘膜中而与所述第二和第四导体图形相对应地在所述第二层间绝缘膜中连续延伸，所述第六导体图形将所述第二和第四导体图形连续连接，所述第一和第二导体图形、所述第三和第四导体图形以及所述第五和第六导体图形共同形成MIM电容器。