[发明专利]用半导体微粒的分散体制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200510083398.0 | 申请日： | 2005-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1725455A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·库格勒;克里斯托弗·约瑟姆;戴维·鲁塞尔;李顺普 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;H01L21/208;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于形成例如薄膜的半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：在基底的表面上沉积第一半导体颗粒的悬浮液和第二半导体或其前体溶液，使得在其上产生包含悬浮在含有第二半导体或其前体的液相中的第一半导体颗粒的混合物；和使该混合物凝固，以形成第二半导体基质中包含第一半导体颗粒的半导体器件，其中该基质与相邻的第一半导体颗粒电连接，第一和第二半导体为相同导电型并由相同或不同材料制成。本方法不需要任何真空沉积或烧结步骤。同时还提供一种半导体器件本身。该部件包括在半导体粘合剂的基质中的半导体颗粒，基质具有和半导体颗粒相同的导电型并是和形成颗粒相同或不同的材料，该半导体粘合剂和相邻的半导体颗粒电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 微粒 散体 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于形成半导体器件的方法，包含以下步骤：(i)在基底的表面上沉积第一半导体颗粒的悬浮液和第二半导体或其前体的溶液，使得在基底上产生包含悬浮在含有第二半导体或其前体的液相中的第一半导体颗粒的混合物；和(ii)使该混合物凝固，以形成第二半导体的基质中包含第一半导体颗粒的半导体器件，其中该基质与相邻的第一半导体颗粒电连接，第一和第二半导体为相同的导电类型、并由相同或不同材料制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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