[发明专利]疏水膜及其制造方法、使用该膜的喷墨头和喷墨式记录装置有效
| 申请号： | 200510083543.5 | 申请日： | 2002-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1762610A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 中川徹;樋渡竜也 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | B05D5/00 | 分类号： | B05D5/00;B05D7/24;C09D183/00;C09D5/16;B41J2/135 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在固体基材(2)上形成的疏水膜(1)，其含有在两末端有至少一个以上的硅氧烷键(－Si－O－)且在中间部含烃链的分子(A)、和在一个末端有氟化碳链且在另一个末端有至少一个以上的硅氧烷键(－Si－O－)的分子(B)，且由上述分子(A)和上述分子(B)形成聚合物膜。该聚合物膜与基材表面通过硅氧烷键(－Si－O－)共价键合，表面被疏水性高的氟化碳链覆盖，因此防止碱离子的侵入。据此，提供具有即使长时间接触碱性的墨也不被破坏的疏水膜的喷墨头和喷墨式记录装置。 | ||
| 搜索关键词： | 疏水 及其 制造 方法 使用 喷墨 喷墨式 记录 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在固体基材上形成的疏水膜，其含有在两末端有至少一个以上的硅氧烷键(-Si-O-)且在中间部含烃链的由下述化学式表示的分子(A)、和在一个末端有氟化碳链且在另一个末端有至少一个以上的硅氧烷键(-Si-O-)的分子(B)，且至少由所述分子(A)和所述分子(B)形成聚合物膜，-OSi(R1R2)(CH2)nSi(R1R2)O- (A)其中R1，R2是甲基、乙基、甲氧基(-OCH3)、乙氧基(-OC2H5)、羟基(-OH)、或作为硅氧烷键的构成要素的氧，n为1-10的自然数。
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