[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510083593.3 | 申请日： | 2005-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1719603A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 渡边充;福井哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体芯片，其中该半导体芯片具有半导体衬底和焊接用金属层，该焊接用金属层包括在上述半导体衬底的主面上设置且形成有上述半导体衬底和肖特基结的第一金属层、设置在上述第一金属层上且以铝为主要成分的第二金属层、设置在上述第二金属层上且以钼和钛为主要成分的第三金属层、和形成在上述第三金属层上且至少包含Ni、Fe、Co中的任意一种的第四金属层；第一框架；设置在上述焊接用金属层上、接合上述半导体芯片和上述第一框架的焊料层；以及与上述半导体芯片的背面相接合的第二框架。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体芯片，其中该半导体芯片具有半导体衬底和焊接用金属层，该焊接用金属层包括设置在上述半导体衬底主面上且形成有上述半导体衬底和肖特基结的第一金属层、设置在上述第一金属层上且以铝为主要成分的第二金属层、设置在上述第二金属层上且以钼和钛为主要成分的第三金属层、以及形成在上述第三金属层上且至少包含Ni、Fe、Co中的任意一种的第四金属层；第一框架；在上述焊接用金属层上设置并接合上述半导体芯片和上述第一框架的焊料层；以及与上述半导体芯片的背面相接合的第二框架。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510083593.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有摄影功能的便携式装置及移动电话机
- 下一篇：台上工具所用的支撑组件
