[发明专利]磁阻元件、磁头及磁存储装置无效
| 申请号： | 200510083660.1 | 申请日： | 2005-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1835084A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 大岛弘敬;长坂惠一;城后新;清水丰;田中厚志 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G01R33/09;H01L43/08 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;郑特强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层。该磁阻元件包括：第一界面磁层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间。第一界面层和第二界面层包括主要为CoNiFe的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 磁头 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层，该磁阻元件包括：第一界面层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间；其中，该第一界面层和该第二界面层均包括主要为CoNiFe的材料。
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