[发明专利]一种三硼酸铯单晶的助熔剂生长方法无效
| 申请号： | 200510083857.5 | 申请日： | 2005-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1896338A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 吴以成;陈国军;傅佩珍;陈创天 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B15/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种三硼酸铯单晶的助熔剂生长方法，步骤为：1)将三硼酸铯与助熔剂按比例混匀，以30－100℃/小时速率加热至730℃－850℃，恒温5－50小时，再冷却至饱和温度之上2－10℃，得到含三硼酸铯与助熔剂的高温溶液；助熔剂为MF，M为Li、Na或Cs；2)把装在籽晶杆上的籽晶放入步骤1)高温溶液表面或溶液中，恒温数分钟，将温度快速降到饱和温度，然后以0－60转/分速率旋转籽晶杆，同时以0.1－1℃/天速率降温，待晶体生长结束后，将晶体提离液面，并以不大于100℃/小时速率降至室温，得到三硼酸铯单晶。本方法使用助熔剂后，晶体生长温度降低，溶液组分挥发减少，粘度适中，可稳定获得CsB3O5透明单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硼酸 铯单晶 熔剂 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种三硼酸铯单晶的助熔剂生长方法，其具体步骤如下：(1)将三硼酸铯化合物与助熔剂按比例混匀，以30-100℃/小时的升温速率将其加热至730℃-850℃，恒温5-50小时，再冷却至饱和温度之上2-10℃，得到含三硼酸铯与助熔剂的高温溶液；所述助熔剂为MF化合物，其中M为Li、Na或Cs；所述三硼酸铯化合物与MF化合物混配的摩尔比为：CsB3O5∶MF＝1∶0.1-1；(2)把装在籽晶杆上的籽晶放入上述步骤1)制备的含三硼酸铯与助熔剂的高温溶液的表面或高温溶液中，恒温数分钟，将温度快速降到饱和温度，然后以0-60转/分的旋转速率旋转籽晶杆，同时以0.1-1℃/天的速率缓慢降温，待晶体生长结束后，将晶体提离液面，并以不大于100℃/小时的速率降温至室温，得到三硼酸铯单晶。
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