[发明专利]2.5维光子晶体面发射激光器无效
| 申请号： | 200510084050.3 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1897375A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 陈弘达;孙增辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种2.5维光子晶体面发射激光器，包括：一晶片；一第一DBR层，该DBR层制作在晶片上；一下包层，下包层制作在第一DBR层上；一有源层，该有源层制作在下包层上，该有源层上通过刻蚀工艺形成周期性的光子晶体结构；一上包层，该上包层制作在有源层上；一p+型包层，该p+型包层制作在上包层上；一第二DBR层，该第二DBR层制作在p+型包层上；一上电极，该上电极制作在第二DBR层上，该上电极上有一出光孔；一下电极，该下电极制作在晶片的底面上，并覆盖晶片的底面。 | ||
| 搜索关键词： | 2.5 光子 晶体 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种2.5维光子晶体面发射激光器，其特征在于，包括：一晶片；一第一DBR层，该DBR层制作在晶片上；一下包层，下包层制作在第一DBR层上；一有源层，该有源层制作在下包层上，该有源层上通过刻蚀工艺形成周期性的光子晶体结构；一上包层，该上包层制作在有源层上；一p+型包层，该p+型包层制作在上包层上；一第二DBR层，该第二DBR层制作在p+型包层上；一上电极，该上电极制作在第二DBR层上，该上电极上有一出光孔；一下电极，该下电极制作在晶片的底面上，并覆盖晶片的底面。
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