[发明专利]垂直场磁共振成像系统射频发射线圈有效
申请号: | 200510084052.2 | 申请日: | 2005-07-18 |
公开(公告)号: | CN1899216A | 公开(公告)日: | 2007-01-24 |
发明(设计)人: | 包尚联;张宏杰 | 申请(专利权)人: | 北京海思威科技有限公司 |
主分类号: | A61B5/055 | 分类号: | A61B5/055;G01R33/20 |
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地址: | 100084北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种垂直场磁共振成像射频发射线圈,它包括:分别位于磁体两个极板附近基本平行放置的两个梯形结构组成的线圈,梯形结构包括由导体组成的两个边,以及连接两个边的多个横档,等值的电容可以分布在横档上,也可以分布在两个边上横档之间的位置,这样调节导体电感和电容可以达到与梯形结构网格数对应的共振模式,其中模式1情况下,边中电流以一个驻波的形式存在,所以各横档电流是对驻波电流采样,呈规则的正弦分布,不需要分别调节,组成线圈的电容和电感值相同,所以线圈共振频率的调谐简单方便,由于线圈结构规律,互感计算比较精确,能较好解决结构间的相互影响问题、自身电流回路,不需要通过屏蔽层来解决电流回路问题,所以线圈的效率相应提高。 | ||
搜索关键词: | 垂直 磁共振 成像 系统 射频 发射 线圈 | ||
【主权项】:
1、一种用于垂直磁场磁共振成像系统的射频发射线圈,其特征在于它包括:通过施加电流产生垂直于主磁场的射频场的梯形结构,梯形结构包括由导体组成的两个边,以及连接两个边的多个横档,等值的电容可以分布在横档上,也可以分布在两个边上横档之间的位置上,这样调节导体电感和电容可以达到与梯形结构网格数对应的共振模式,其中模式1对应的电流分布能形成较均匀的垂直于梯形结构所在平面的射频场。
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