[发明专利]半导体存储器有效
| 申请号： | 200510084281.4 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1832032A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 伊藤成真 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C16/06;G11C7/00;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵淑萍 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储器。当判定出与实存储器单元连接的实位线很可能连接到相邻的电路元件而电短路时，哑位线被连接到向电路元件提供电压的电压线。例如，经由连接布线线路，哑位线直接连接到负电压线。或者，哑位线选择性地连接到内部电压线中的某一条。即使当哑位线连接到相邻的电路元件而电短路时，也可以防止在哑位线与电路元件之间出现泄漏。由于可以防止泄漏，所以可以防止内部电压产生器不必要地操作，并且可以防止待机电流增大。结果，可以提高半导体存储器的生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，包括：保持写数据的实存储器单元；不保持写数据的哑存储器单元；与所述哑存储器单元连接的哑位线；负电压产生器，所述负电压产生器根据外部供电电压，产生要在所述半导体存储器的内部电路中使用的负电压；被提供了所述负电压的负电压线；形成在所述哑位线附近并被提供了所述负电压的电路元件；和将所述哑位线直接连接到所述负电压线的连接布线线路。
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