[发明专利]半导体制造装置的保养时期判断方法有效
| 申请号： | 200510084697.6 | 申请日： | 2000-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1854715A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 长谷川博之;山冈智则;石原良夫;增崎宏;佐藤贵之;铃木克昌;德永裕树 | 申请（专利权）人： | 株式会社上睦可;大阳日酸株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/39 | 分类号： | G01N21/39;C23C16/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 保养 时期 判断 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置的保养时期判断方法，其中，判断在反应室(1)内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的保养时期，其特征在于，在进行所述腐蚀性气体处理时，用与所述反应室(1)连接的水分计(5)来监测反应室(1)内的水分浓度，根据重复进行腐蚀性气体处理时的所述水分浓度的变化来决定所述保养时期。
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