[发明专利]具有平辅式瓷衬的半导体加工设备无效

专利信息
申请号: 200510084740.9 申请日: 2000-09-11
公开(公告)号: CN1734710A 公开(公告)日: 2006-02-15
发明(设计)人: 威廉·S·肯尼迪;罗伯特·A·马拉斯钦;杰罗姆·S·休贝塞克 申请(专利权)人: 兰姆研究公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;H01J37/32;H01J37/16;C23C16/44;C23F4/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王彦斌
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 等离子体加工室包括一个瓷衬,该瓷衬C瓷砖形式安装在一弹性支承件上。衬里和其它部件如气体分配板和等离子体屏蔽件都可以用SiC制造,SiC有利于限制等离子体并提供室的内表面温度控制。衬里可以用加热器加热,该加热器通过热传导将热量提供给衬里。为了除去衬里中过量的热,弹性支承件可以是铝制支承框架,该支承框架将热从衬里传导到一温度控制件,如室的顶板上。支承框架可以包括连续式上面部分和分段式下面部分,该分段式下面部分能在等离子体室内加工半导体基片过程中适应热应力。
搜索关键词: 具有 平辅式瓷衬 半导体 加工 设备
【主权项】:
1.一种处理半导体基片用的等离子体加工室的瓷衬用瓷砖,所述瓷砖通过弹性接合连接到一个支承件上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰姆研究公司,未经兰姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510084740.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top