[发明专利]包括无源器件屏蔽结构的集成电路器件及其形成方法

摘要

本发明涉及一种集成电路器件和形成其的方法。所述集成电路器件包括半导体衬底和半导体衬底上的磁通线产生无源电子元件。伪栅极结构设置于半导体衬底上在无源电子元件下面的区域中。伪栅极包括多个部分，每个部分包括第一纵向延伸部分和第二纵向延伸部分。第二纵向延伸部分从第一纵向延伸部分的一端以一角度延伸。诸部分以基本相同的角度延伸且设置以相邻的嵌套的关系彼此偏移。

主权项

1.一种集成电路器件，包括：半导体衬底；磁通线产生无源电子元件，在所述半导体衬底上；和伪栅极结构，设置于所述半导体衬底上在所述无源电子元件下面的区域中，所述伪栅极包括多个部分，每个部分包括第一纵向延伸部分和第二纵向延伸部分，所述第二纵向延伸部分从所述第一纵向延伸部分的一端以一角度延伸，且其中，诸部分以基本相同的角度延伸且以相邻的嵌套关系彼此偏移地设置。