[发明专利]硅基材料层、方法、结构、器件、发射器和显示器无效
| 申请号： | 200510084787.5 | 申请日： | 2005-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1734733A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 崔哲终 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/20;H01L21/22;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了形成硅基材料层的方法，以及由所述方法形成的硅基材料层和包含所述硅基材料层的器件。所述方法包括：在硅基衬底上形成非晶层，采用金属离子对所述非晶层的至少一区域进行掺杂，并使非晶层结晶，以形成多个晶粒，其中，晶粒边界位于相邻的晶粒之间，在晶粒边界处形成金属硅化物。所形成的金属硅化物具有纳米线尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 方法 结构 器件 发射器 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种形成硅基材料层的方法，所述方法包括：在硅基衬底上形成非晶层；用金属离子掺杂所述非晶层的至少一区域；以及晶化所述非晶层，以形成多个晶粒，其中，晶粒边界位于相邻晶粒之间，金属硅化物形成于晶粒边界处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
