[发明专利]半导体存储装置的内部电压产生器无效

专利信息
申请号: 200510084804.5 申请日: 2005-07-14
公开(公告)号: CN1773627A 公开(公告)日: 2006-05-17
发明(设计)人: 任才爀;李在真 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C11/4074 分类号: G11C11/4074;G11C11/417;G11C5/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临;王志森
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种能够在内部电压VPP的电平中减低变异宽度的内部电压产生器,藉于振荡器驱动信号位于逻辑HIGH电平时,仅执行预定次数的电荷泵激,且接着停止该电荷泵激操作,振荡器控制器藉使用电平检测器的输出信号与该环形振荡器的输出信号,产生振荡控制信号以停止环形振荡器的振荡操作,该环形振荡器在预定时间点,当该电平检测器的输出信号为HIGH电平对应该振荡控制信号时,并不产生振荡信号,该电荷泵激电路藉仅执行电荷泵激操作预定次数对应该振荡信号,产生内部电压,且接着停止该电荷泵激操作。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 内部 电压 产生器
【主权项】:
1.一种内部电压产生器,包括:电平检测器,用以检测内部电压的电压电平以产生振荡器驱动信号;环形振荡器,用以产生振荡信号对应该振荡器驱动信号;振荡器控制器,使用该振荡器驱动信号与该振荡控制信号,用以产生振荡控制信号以停止该环形振荡器的振荡操作;以及电荷泵激电路,用以执行仅电荷泵激预定的次数对应该振荡信号,因此产生内部电压。
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