[发明专利]影像传感器的制作方法有效

专利信息
申请号: 200510084862.8 申请日: 2005-07-19
公开(公告)号: CN1901210A 公开(公告)日: 2007-01-24
发明(设计)人: 李盛进 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H01L21/822
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种制作影像传感器的方法,方法包括提供一个半导体基底,且半导体基底包括像素阵列区域与逻辑区域,于像素阵列区域的半导体基底中形成多个感光二极管,于半导体基底上进行多重金属内连线工艺,于像素阵列区域和逻辑区域上沉积护层,去除像素阵列区域上方的护层,以及于像素阵列区域中形成多个滤光阵列,并分别对应各感光二极管。
搜索关键词: 影像 传感器 制作方法
【主权项】:
1.一种制作影像传感器的方法,该方法包括:提供一半导体基底,且该半导体基底包括一像素阵列区域与及一逻辑区域;于该像素阵列区域的该半导体基底中形成多个感光二极管;于该半导体基底上进行一多重金属内连线工艺;于该像素阵列区域和该逻辑区域上沉积一护层;去除该像素阵列区域上方的该护层;以及于该像素阵列区域中形成多个滤光阵列,并分别对应各该感光二极管。
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