[发明专利]具有支持多存储块的列冗余电路的半导体存储设备无效

专利信息
申请号: 200510084910.3 申请日: 2005-07-25
公开(公告)号: CN1744230A 公开(公告)日: 2006-03-08
发明(设计)人: 姜相喆;金亨民 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/409 分类号: G11C11/409;G11C7/00;G11C29/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临;王志森
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 半导体存储设备包括其中具有多个多列存储块的存储阵列和多列冗余存储块。提供了冗余列选择单元,其被配置成响应于列地址将从多列冗余存储块读取的数据路由到冗余数据线。还提供了数据输入/输出单元。数据输入/输出单元连接到冗余数据线和与存储阵列中有缺陷的列相关联的数据线。数据输入/输出单元被配置成通过将从多列冗余存储阵列中所选择的冗余列读取的第一数据路由到输入/输出总线同时阻止从有缺陷的列读取的数据被传送到输入/输出总线来对从存储阵列中的有缺陷的列读取第一数据的指令做出响应。
搜索关键词: 具有 支持 存储 冗余 电路 半导体 设备
【主权项】:
1.一种集成电路存储设备,包括:存储阵列,其中具有多个多列存储块;多列冗余存储阵列;冗余列选择单元,其被配置成响应于列地址将从所述多列冗余存储阵列读取的数据路由到冗余数据线;以及数据输入/输出单元,其连接到冗余数据线和与所述存储阵列中有缺陷的列相关联的数据线,所述数据输入/输出单元被配置成通过将从所述多列冗余存储阵列中所选择的冗余列读取的第一数据路由到输入/输出总线同时阻止从有缺陷的列读取的数据被传送到输入/输出总线来对从所述存储阵列中的有缺陷的列读取第一数据的指令做出响应。
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