[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 200510084958.4 申请日: 2005-07-22
公开(公告)号: CN1901184A 公开(公告)日: 2007-01-24
发明(设计)人: 渡边孝训;小屋敷刚;小泽浩幸;味村智昭 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L23/52 分类号: H01L23/52;H01L27/02;H01L21/768;H01L21/82
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 王玉双;潘培坤
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种半导体器件,其包括由多层布线层构成的焊盘、及将通过用于电源的焊盘供应来的电提供给内部电路的电源环,并且用于电源的焊盘与电源环通过分别设置在电源环上方和下方的通路连接。因此,即使焊盘的宽度变窄,被设置成连接用于电源的焊盘和电源环的通路个数与传统技术相比至少翻倍,以增加提供到电源环的电流量,从而即使在具有窄宽度焊盘的半导体器件中,仍可以将充足的电流从外部提供到电源环。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,其中包括:焊盘,其由多层布线层构成:以及电源环,其形成为围绕形成有内部电路的电路区域,以将通过用于电源的所述焊盘供应来的电提供给该内部电路;用于电源的所述焊盘与所述电源环通过设置在所述电源环上方和下方的通路连接。
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