[发明专利]钎焊材料、半导体器件、钎焊方法和半导体器件制造方法无效

专利信息
申请号: 200510084960.1 申请日: 2005-07-25
公开(公告)号: CN1754903A 公开(公告)日: 2006-04-05
发明(设计)人: 高桥利英;小松周一;忠内仁弘;松本一高;小松出 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: C08J11/00 分类号: C08J11/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 蔡胜有
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据本发明一个方面的钎焊材料包括待钎焊的第一金属材料,待钎焊的第二金属材料,和在该第一金属材料和该第二金属材料之间钎焊的钎焊层,该第二金属材料由选自镍,钯,铂和铝的至少一种元素组成,并且在该钎焊层的横截面显微结构中存在包括构成该第二金属材料的元素和锡的固熔体相。
搜索关键词: 钎焊 材料 半导体器件 方法 制造
【主权项】:
1.一种钎焊材料,包括:待钎焊的第一金属材料;待钎焊的第二金属材料,其位于该第一金属材料附近,并且基本由选自镍,钯,铂和铝的至少一种元素组成;和在该第一金属材料和该第二金属材料之间钎焊的钎焊层,其中该钎焊层的横截面显微结构中,存在包括构成该第二金属材料的元素和锡的固溶体相。
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