[发明专利]相位差薄膜及其制造方法、光学薄膜以及它们的应用有效
| 申请号： | 200510085960.3 | 申请日： | 2005-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1731227A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 河原聪;林政毅;矢野周治;与田健治;小林显太郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G02F1/1335;G02F1/13 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的相位差薄膜，是含有降冰片烯系树脂的高分子薄膜的拉伸薄膜，其特征在于，满足下述式(1)和式(2)，100nm≤(nx－ny)·d≤350nm…(1)；0.1≤(nx－nz)/(nx－ny)≤0.9…(2)。[其中，将薄膜的滞相轴方向、进相轴方向和厚度方向的折射率分别设为nx、ny、nz，d(nm)作为薄膜的厚度，滞相轴方向是指薄膜面内折射率最大的方向]。由此，本发明提供一种很难因应力而产生相位差值的偏离或不均匀且具有nx＞nz＞ny关系的相位差薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 相位差 薄膜 及其 制造 方法 光学薄膜 以及 它们 应用 | ||
【主权项】：
1.一种相位差薄膜，是含有降冰片烯系树脂的高分子薄膜的拉伸薄膜，其特征在于，满足下述式(1)和式(2)，100nm≤(nx-ny)·d≤350nm…(1)0.1≤(nx-nz)/(nx-ny)≤0.9…(2)[其中，将薄膜的滞相轴方向、进相轴方向和厚度方向的折射率分别设为nx、ny、nz，d(nm)作为薄膜的厚度，滞相轴方向是指薄膜面内折射率最大的方向]。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510085960.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：采用臭氧清洗半导体晶片表面的装置和方法
- 下一篇：管端整理工具
