[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200510085984.9 | 申请日： | 2005-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1725491A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 生驹大策;柁谷敦宏;大谷一弘;山下恭司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种抑制由光邻近效应引起的晶体管的栅极长度不均匀的半导体装置。本发明的半导体装置，横跨P型扩散区域、N型扩散区域以及元素分离区域形成，备有：具有位于扩散区域上的栅极电极单元(G21a～G21c)和位于元素分离区域上的栅极布线单元(G22a～G22c)的多个栅极多晶硅膜(G20a～G20c)。并且，贯通层间绝缘膜，设有连接在栅极布线单元(G22a～G22c)的栅极触点(C23a～C23c)，连接在各栅极触点(C23a～C23c)的布线(M21)。栅极触点(C23a～C23c)的直径R比栅极多晶硅膜(G20)的栅极长度L大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板；形成于所述半导体基板，作为MIS晶体管形成区域的扩散区域；围绕所述扩散区域的元素分离区域；栅极长度方向尺寸恒定的至少一个栅极导体膜，其具有横跨所述扩散区域和元素分离区域形成，位于所述扩散区域的栅极电极单元，以及位于所述元素分离区域的栅极布线单元；覆盖所述栅极电极的层间绝缘膜；和栅极触点，其贯通所述层间绝缘膜，连接所述栅极布线单元，并具有比所述栅极布线单元的栅极长度方向尺寸大的栅极长度方向尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
