[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510086030.X | 申请日： | 2005-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1728401A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 久本大;安井感;木村绅一郎;石丸哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/105;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种即使缩小存储单元也具有优良读出电流驱动能力的非易失性半导体存储器件。在分裂栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在凸型衬底上形成存储栅极，将其侧面作为沟道使用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的第一绝缘栅型场效应晶体管；以及在上述半导体衬底上形成且具有隔着上述第一绝缘栅型场效应晶体管所具有的第一栅电极和绝缘膜而形成的第二栅电极的第二绝缘栅型场效应晶体管，在与上述第一及第二绝缘栅型场效应晶体管的各栅电极交叉的方向上，具有：第一扩散层电极；上述第一绝缘栅型场效应晶体管所具有的第一栅电极和与该第一栅电极相对应的第一沟道区；上述第二绝缘栅型场效应晶体管所具有的第二栅电极和与该第二栅电极相对应的第二沟道区；以及夹持上述第一沟道区和第二沟道区以与上述第一扩散层电极相对的第二扩散层电极，上述第二绝缘栅型场效应晶体管的栅绝缘膜具有电荷保持功能，通过由上述第二栅电极对电压特性的改变的作用，对在上述第一扩散层电极和上述第二扩散层电极之间流动的电流进行控制，并且，在与连接上述第一扩散层电极和上述第二扩散层电极的沟道方向相交叉的方向上具有凸型半导体区，上述第一绝缘栅型场效应晶体管所具有的第一沟道区被形成在上述凸型半导体区的侧壁上。
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