[发明专利]硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构无效
| 申请号： | 200510086312.X | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1925240A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 许兴胜;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/12;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构，包括：一绝缘体硅材料；一二维光子晶体，该二维光子晶体制作在绝缘体硅材料的上面，位于绝缘体硅材料的中间部分处；一二维光子晶体微腔，该二维光子晶体微腔形成在二维光子晶体的中心处；一P型硅，该P型硅制作在绝缘体硅材料上面的一侧，位于二维光子晶体的一边；一N型硅，该N型硅制作在绝缘体硅材料上面的另一侧，位于二维光子晶体的另一边。本发明二维光子晶体微腔硅基拉曼激光器的结构，该拉曼激光器结构紧凑，模体积小，阈值低，便于与其他器件的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 晶体 微腔拉曼 激光器 结构 | ||
【主权项】：
1、一种硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构，其特征在于，包括：一绝缘体硅材料；一二维光子晶体，该二维光子晶体制作在绝缘体硅材料的上面，位于绝缘体硅材料的中间部分处；一二维光子晶体微腔，该二维光子晶体微腔形成在二维光子晶体的中心处；一P型硅，该P型硅制作在绝缘体硅材料上面的一侧，位于二维光子晶体的一边；一N型硅，该N型硅制作在绝缘体硅材料上面的另一侧，位于二维光子晶体的另一边。
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