[发明专利]一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法无效
| 申请号： | 200510086313.4 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1925174A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 于理科;徐波;王占国;金鹏;赵昶;张秀兰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs亚分子单层量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长方法。结构包括第一层为GaAs过渡层；第二层为InGaAs亚分子单层量子点结构；第三层为GaAs表面保护层。通过精确控制分子束外延生长条件－用亚分子单层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱0.92－0.96微米波段发光，并且具有很高的发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为12meV，将其应用于0.92－0.96微米波段波段量子点激光器，将极大的改善该类器件的性能，如：降低激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分子 单层 量子 激光器 材料 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分子束外延生长0.92-0.96微米波段InGaAs/GaAs亚分子单层量子点外延层结构，其特征在于包括：第一层为GaAs过渡层；第二层为InGaAs亚分子单层量子点结构；第三层为GaAs表面保护层。
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