[发明专利]一种碳纳米管图形化工艺方法无效
申请号: | 200510086335.0 | 申请日: | 2005-09-02 |
公开(公告)号: | CN1730382A | 公开(公告)日: | 2006-02-08 |
发明(设计)人: | 胡元中;彭倚天;王慧 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;C01B31/02 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳纳米管图形化工艺方法,属于纳米科学与技术领域。所述方法主要利用功能化有机硅烷自组装单层膜表面对DMF与SDS分散液中的碳纳米管的不同作用力形成图形化碳纳米管单,多层膜或阵列。用光刻法在表面形成图形,然后在图形表面不同区域组装不同的自组装膜,利用图形化膜的不同区域不同表面性质,通过沉积和casting工艺形成单层或多层结构的图形化碳纳米管。该方法很容易在如玻璃、硅晶片或塑料上形成碳纳米管图形,同样也可以在铝等金属上形成碳纳米管阵列图形。本发明的方法在制造平板显示屏、晶体管、化学和生物传感器、半导体装置等工艺中有潜在的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 图形 化工 方法 | ||
【主权项】:
1、一种碳纳米管图形化工艺方法,其特征在于:所述方法是在常温下通过对基底表面组装有机硅烷衍生自组装膜进行化学功能化处理,然后对基底采用沉积工艺和浇铸工艺形成碳纳米管图形,其工艺步骤为:(1)将碳纳米管在十二烷基硫酸钠水溶液或者N,N-二甲基甲酰胺分散超声分散,然后离心,取上层清澈碳纳米管分散液溶液;(2)在基底上面涂一层光刻胶,根据事先设计的不同尺寸大小条纹和点阵图形对光刻胶进行曝光,在曝光显影后露出的基底部分组装甲基表面自组装膜;(3)将步骤2组装了甲基表面自组装膜的基底泡入丙酮里对剩下的光刻胶去胶,再在去胶后露出的基底上面组装氨基表面自组装膜;(4)将步骤3经过图形化功能处理的基底分别用沉积工艺与浇铸工艺实现碳纳米管的图形化。
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