[发明专利]含有可调零的GMR芯片的磁位移传感器无效

专利信息
申请号: 200510086376.X 申请日: 2005-09-09
公开(公告)号: CN1740748A 公开(公告)日: 2006-03-01
发明(设计)人: 李伟;陈英华;刘理天;张杰;任天令;尚凯伦 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01D5/12 分类号: G01D5/12;G01B7/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种含有可调零的GMR芯片的磁位移传感器,属于传感器技术领域,包括磁栅尺带、GMR芯片;GMR芯片使用巨磁电阻GMR纳米磁性薄膜作为磁阻敏感材料制作的磁传感器,含调零电阻;GMR芯片固定在印刷电路板(PCB)上,通过铝硅丝绑定实现与后处理电路的电信号联接。GMR芯片与PCB板构成动尺,当动尺在定尺上横向运动时,GMR芯片将检测到的磁栅的磁场强度强弱变化转化为电信号传给后处理电路,最后信号处理电路得出动尺相对于定尺移动的位移量。该发明热稳定性好、噪声低、响应时间快;磁场灵敏度和磁电阻变化率高,适合在低磁场下工作,便于与半导体电路集成,简化了器件结构,降低成本,在传感器技术领域有重大实用价值。
搜索关键词: 含有 可调 gmr 芯片 位移 传感器
【主权项】:
1、一种含有可调零的GMR芯片的磁位移传感器,其特征在于:由含有调零电阻的GMR芯片和被充磁的磁栅尺带构成;GMR芯片固定在印刷电路板上,与后处理电路相联;GMR芯片与磁栅尺带之间有缝隙d,便于GMR芯片在磁栅尺带上方移动。
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