[发明专利]一种白光发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200510086450.8 | 申请日： | 2005-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1937264A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 周均铭;陈弘;郭丽伟;邢志刚;王晓辉;汪洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及到一种白光发光二极管，其包括一背出光的发光二极管，及在其衬底的背面上的荧光粉层，和其外部封装用的树脂壳，所述的背出光的发光二极管包括一红宝石衬底，其上依次为GaN缓冲层、n型GaN层、发光层、p型GaN层，以及引出的电极。该白光发光二极管是采用红宝石作为衬底，使用常规的半导体器件的沉积技术在其上依次生长各层，得到的发光二极管利用SiO2掩膜及光刻技术，引出两个电极，得到背出光的发光二极管；将红宝石衬底减薄；在背出光的发光二极管的衬底背面涂布所需的荧光粉，最后用树脂按照常规方法封装。该白光发光二极管提高了红光波段的光强度、有效地降低了白光的色温并提高了白光的显色指数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 白光 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种白光发光二极管，其包括一背出光的发光二极管，及在其衬底的背面上的荧光粉层，和其外部封装用的树脂壳，其特征在于：所述的背出光的发光二极管包括一红宝石衬底，其上依次为GaN缓冲层、n型GaN层、发光层、p型GaN层，以及分别从n型GaN层和p型GaN层引出的的n型电极和p型电极。
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