[发明专利]不同折射率膜层的制备方法无效
申请号: | 200510086464.X | 申请日: | 2005-09-22 |
公开(公告)号: | CN1936069A | 公开(公告)日: | 2007-03-28 |
发明(设计)人: | 谭满清;周代兵 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;C23C14/54;C23C14/08;C23C14/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 段成云 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于光学薄膜技术领域,本发明涉及一种实现不同折射率膜层的制备方法,制备过程中,采用高真空下双枪电子束同时蒸镀高、低折射率膜料实现,折射率在高、低两种材料之间连续可变,通过控制两种膜料的淀积速率比精确调节淀积膜层的折射率值,该方法可以制备许多自然界不存在的折射率膜层,制备方法简单可行,而且不受膜料的熔点等性能的限制。 | ||
搜索关键词: | 不同 折射率 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种实现不同折射率膜层的制备方法,其特征在于,使用双枪电子束同时蒸发高低折射率膜料实现,蒸镀过程中严格控制蒸发高低膜料的蒸发速率比,改变蒸镀速率比可调节膜层的折射率值,包括如下步骤:步骤1:将高、低两种折射率膜料分别装在两个坩埚中,然后将双枪电子束镀膜机抽到高真空,即真空度值小于等于1×10-4帕斯卡;步骤2:将衬底加热到200-300℃,并控温;步骤3:在计算机控制程序中设定两种膜料的淀积速率,开启电子枪总开关,然后启动淀积程序;步骤4:在计算机控制下,通过两个石英晶体振动器分别精确控制两种膜料的淀积速率,从而实现需要的折射率膜层。
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