[发明专利]单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积外延系统

摘要

单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)外延系统属于集成电路半导体薄膜外延生长技术和超晶格薄膜材料生长技术领域。其特征在于：在外延生长室的石英反应腔内有一个衬片旋转机构，该机构水平放置在上述反应腔内。该机构含有：提供旋转动力源的马达(自带或附加减速器)、与该马达相连接的密封磁扭力传输组件，带有螺纹的石英玻璃杆、与该杆实行外螺纹啮合的石英环、石英环上固定有多个用于托起外延生长衬片的石英柱、支撑石英环的装有滚珠的石英档块、固定石英档块的石英玻璃平板。由于增加了本机构，因此本发明可大大提高外延衬片的薄膜内组分以及厚度的均匀性。

主权项

1、单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积外延系统，含有：外延生长室、装片腔、预装片腔、气路系统、高真空机组、尾气处理装置、测温控温系统、加热电源以及计算机控制系统，所述的超高真空化学气相淀积外延系统其特征在于，在所述外延生长室中的一个石英反应腔内有一个衬片旋转机构，该机构执行衬片旋转功能；该衬片旋转机构含有：石英玻璃板，该板水平地放置在所述的石英反应腔内；档块，在所述石英板上沿圆周方向均匀地固定着三个带滚珠的档块；石英环，该环可转动地安放在所述档块的滚珠上，在该石英环上沿圆周方向均匀地分布有涡齿轮，并且石英环上还固定有用于托住待外延生长衬片的石英柱；带螺纹的石英玻璃杆，该杆上有螺纹的那一部分与所述石英环实现外螺纹啮合，该杆的另一端穿过所说的石英反应腔与变速马达连接。