[发明专利]InP单晶锭退火处理方法无效
| 申请号： | 200510086482.8 | 申请日： | 2005-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1936119A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 赵友文;段满龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种InP单晶锭退火处理方法，包括如下步骤：步骤1：将生长出的InP单晶表面用去离子水清洗，去掉残留的氧化硼；步骤2：然后用有机溶剂擦洗，用去离子水冲洗后晾干待用；步骤3：准备石英管和封泡，用王水浸泡后去离子水冲洗干净，烘干待用；步骤4：将晶体直接放入石英管内，同时放入红磷；步骤5：然后放封泡后用机械泵抽真空，用氢氧焰烧结封口；步骤6：将装有晶体的石英管放入退火炉内退火，完成InP单晶锭退火处理。本发明可以解决生长出的化合物半导体单晶InP中存在着很高的残留热应力，极容易造成晶体在切割过程中开裂以及晶片在研磨、抛光、清洗和使用过程中碎裂，提高晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | inp 单晶锭 退火 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种InP单晶锭退火处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将生长出的InP单晶表面用去离子水清洗，去掉残留的氧化硼；步骤2：然后用有机溶剂擦洗，用去离子水冲洗后晾干待用；步骤3：准备石英管和封泡，用王水浸泡后去离子水冲洗干净，烘干待用；步骤4：将晶体直接放入石英管内，同时放入红磷；步骤5：然后放封泡后用机械泵抽真空，用氢氧焰烧结封口；步骤6：将装有晶体的石英管放入退火炉内退火，完成InP单晶锭退火处理。
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