[发明专利]深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器及制作方法无效
| 申请号： | 200510086483.2 | 申请日： | 2005-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1937232A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 陈弘达;高鹏;顾明;刘海军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L31/00;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器，包括：一P衬底；一正方形N阱区制作在P衬底上；一环形浅沟道隔离区制作在N阱区中，且被环形N+区环绕；一阵列形第一P+区制作在N阱区中，且被环形浅沟道隔离区环绕，构成探测器阵列阳极；一环形N+区制作在N阱区中，且将浅沟道隔离区环绕；一环形第二P+区制作在P衬底上，且将正方形的N阱区环绕；一平面螺旋形金属电极将阵列形第一P+区中各个单元块逐个相连；一环形金属电极连接在N+区上；一环形金属电极连接在第二P+区上。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 cmos 工艺 电感 补偿 光电 探测器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器，其特征在于，其结构包括：一P衬底；一正方形N阱区，该N阱区制作在P衬底上；一环形浅沟道隔离区，该环形浅沟道隔离区制作在N阱区中，且被环形N+区环绕；一阵列形第一P+区，该阵列形第一P+区制作在N阱区中，且被环形浅沟道隔离区环绕，构成探测器阵列阳极；一环形N+区，该N+区制作在N阱区中，且将浅沟道隔离区环绕；一环形第二P+区，该环形第二P+区制作在P衬底上，且将正方形的N阱区环绕；一平面螺旋形金属电极，该金属电极将阵列形第一P+区中各个单元块逐个相连；一环形金属电极，该金属电极连接在N+区上；一环形金属电极，该金属电极连接在第二P+区上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
