[发明专利]一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法有效
| 申请号： | 200510086488.5 | 申请日： | 2005-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1937184A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 林刚;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/314 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法，采用常规的低成本低压化学汽相沉积(LPCVD)方法来制备超薄Si3N4膜，得到性能优良的等效氧化层厚度(EOT)为1.9nm的超薄Si3N4/SiO2 stack栅介质。并在此基础上详细研究了Si3N4/SiO2 (N/O)stack栅介质的特性，成功应用于栅长为0.13μm高性能N/O stack栅介质CMOS器件研制。为深亚微米CMOS器件所必需的高性能栅介质制备提供了一种方便可行的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 氮化 二氧化硅 叠层栅 介质 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法，其步骤如下：a)超薄SiO2栅介质的制备：注14N+：能量为15-25kev，剂量：2E14cm-2-5E14cm-2；氧化温度：650-720℃；.氧化时间：2-8s；.N2∶O2＝10--50∶1；b)超薄Si3N4膜的制备：采用LPCVD方法制备超薄Si3N4膜；二氯氢硅∶氨气＝1∶3-6；淀积温度：710-780℃；淀积时间：18-25s；反应压力：250-300mtorr。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
