[发明专利]通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法无效
| 申请号： | 200510086640.X | 申请日： | 2005-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1953205A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 韩伟华;张扬;刘剑;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管，包括：一硅衬底；一氧化物绝缘层制作在硅衬底上；一硅纳米电导细线制作在氧化物绝缘层上；一源极和漏极分别制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅纳米电导细线的两端，并与硅纳米电导细线连接；一平面栅电极制作在氧化物绝缘层上；一氧化物薄层包裹在源极、漏极、硅纳米电导细线和平面栅电极的表面；二个氧化物隧穿结是通过注氧和热氧化形成的，埋于硅纳米电导细线的内部，并由氧化物隧穿结所限制；二个掩膜窗口包裹在硅纳米电导细线表面的氧化物薄层上，位于氧化物隧穿结上面。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 进行 量子 限制 硅基单 电子 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管，其特征在于，包括：一硅衬底；一氧化物绝缘层，该氧化物绝缘层制作在硅衬底上；一硅纳米电导细线，该硅纳米电导细线制作在氧化物绝缘层上；一源极和漏极，该源极和漏极分别制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅纳米电导细线的两端，并与硅纳米电导细线连接，该硅纳米电导细线、源极和漏极形成一工字形结构；一平面栅电极，该平面栅电极制作在氧化物绝缘层上，该平面栅电极位于硅纳米电导细线的一侧；一氧化物薄层，该氧化物薄层包裹在源极、漏极、硅纳米电导细线和平面栅电极的表面，并对硅纳米电导细线形成量子线限制；二个氧化物隧穿结，该二个氧化物隧穿结是通过注氧和热氧化形成的，该二个氧化物隧穿结埋于硅纳米电导细线的内部，该二个氧化物隧穿结之间形成量子点，并由氧化物隧穿结所限制；二个掩膜窗口，该二个掩膜窗口包裹在硅纳米电导细线表面的氧化物薄层上，位于氧化物隧穿结上面。
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