[发明专利]在真空状态下制备高纯度钛硅碳陶瓷粉体的方法无效
| 申请号： | 200510086689.5 | 申请日： | 2005-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1778767A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 潘伟;韩若冰 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B35/515 | 分类号： | C04B35/515;C04B35/56;C04B35/626 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 在真空状态下制备高纯度钛硅碳陶瓷粉体的方法，属于高性能陶瓷材料技术领域。其特征在于：以TiC粉、Ti粉、Si粉为原料，按照摩尔比TiC∶Ti∶Si＝2∶(1～1.3)∶(1.1～1.5)的比例配料，球磨混合，烘干过筛后，放入氧化铝坩埚中，置于真空反应炉，预抽真空至5～20Pa，以不大于50℃/分钟的升温速度升温至1300～1400℃，在1300～1400℃范围内真空下保温1～2小时，自然冷却至室温，得到Ti3SiC2相含量大于97％的钛硅碳(Ti3SiC2)陶瓷粉体。该方法工艺简单，成本较低，制备钛硅碳(Ti3SiC2)粉体纯度高，适合规模化工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 状态 制备 纯度 钛硅碳 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
1、在真空状态下制备高纯度钛硅碳陶瓷粉体的方法，其特征在于：所述方法以碳化钛粉、钛粉、硅粉为原料，其摩尔比配比为：碳化钛粉∶钛粉∶硅粉＝2∶1～1.3∶1.1～1.5；利用真空合成技术合成制备高纯度钛硅碳粉体，所述粉体中钛硅碳相的体积分数大于97％，TiC等杂质含量低于3％。
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