[发明专利]用粉末注射成形/压力熔浸法制备电子封装材料的方法无效
| 申请号： | 200510086820.8 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1794435A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 贾成厂;尹法章;褚克;平延磊;曲选辉 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B22F1/00;B22F3/20 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用粉末注射成形/压力熔浸法制备电子封装材料的方法，属于电子封装材料制备技术领域。首先配料、混合，将SiC颗粒与粘结剂以体积比为：(55～75)∶(45～25)混合，然后采用挤压连续式混炼法混料，混料冷却后用球磨机研磨，再进行注射成形，对注射成形后得到的坯件进行脱脂处理。本发明所述的SiC颗粒选用7～28μm，粘结剂成分质量比为：石蜡∶聚乙烯∶硬脂酸＝(5～7)∶(5～3)∶(1～2)。本发明的优点在于：能够制备SiC含量55～75％的SiCp/Al电子封装材料，导热率为160～185W/m－K、密度为2.9～3.1g/cm3、热膨胀系数为7.0～9.0×106/K，实现了近终成形、尺寸精度高、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 粉末 注射 成形 压力 法制 电子 封装 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用粉末注射成形/压力熔浸法制备电子封装材料的方法，其特征在于制备工艺为：首先配料、混合，将SiC颗粒与粘结剂的体积比为：55～75∶45～25混合，然后采用挤压连续式混炼法混料，混料冷却后用球磨机研磨，再进行注射成形，对注射成形后得到的坯件进行脱脂处理；所述的SiC颗粒选用7～28μm，粘结剂成分质量比为：石蜡∶聚乙烯∶硬脂酸＝5～7∶5～3∶1～2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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