[发明专利]同步辐射X射线相位衬度CT成像装置及实验方法无效

专利信息
申请号: 200510086904.1 申请日: 2005-11-17
公开(公告)号: CN1965760A 公开(公告)日: 2007-05-23
发明(设计)人: 吴自玉;袁清习;王寯越;朱佩平;黄万霞;舒航 申请(专利权)人: 中国科学院高能物理研究所
主分类号: A61B6/03 分类号: A61B6/03
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 段成云
地址: 100049北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及计算机断层成像技术领域,特别是一种同步辐射X射线相位衬度CT成像装置及实验方法。装置由单色器晶体、样品转台、分析晶体、电离室和成像探测器组成,样品转台由三个转动和两个平动来组成。同步辐射X射线相位衬度CT成像方法流程,其具体步骤如下:步骤S1,不同成像模式下相位衬度成像条件的确定;步骤S2,相位衬度CT成像实验数据的获取;步骤S3,相位衬度成像实验数据的重建。
搜索关键词: 同步 辐射 射线 相位 ct 成像 装置 实验 方法
【主权项】:
1.一种同步辐射X射线相位衬度CT成像装置,所述的装置由单色器晶体、样品转台、分析晶体、电离室和成像探测器组成,在衍射增强相位衬度CT成像实验中,单色器晶体、样品转台、分析晶体、电离室和成像探测器顺序排列在光路上;在同轴相位衬度CT成像实验中,单色器晶体、分析晶体、样品转台、电离室和成像探测器依次排列在光路上;电离室的作用是作为X射线强度的监测设备,电离室测得的X射线光强以光电流的形式通过微静电计实时显示。
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