[发明专利]双栅垂直沟道场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200510086933.8 | 申请日： | 2005-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1794466A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 周发龙;黄如;蔡一茂;张大成;张兴;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 董琍雯 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种比较理想的新型的全耗尽垂直沟道双栅场效应晶体管，具有如下特点：是一种全耗尽的垂直沟道双栅结构；沟道长度和沟道硅膜厚度都能不依赖于光刻技术，这两个关键尺寸都可以被精确而均匀控制；而且可以在单位面积上实现两个并联的全耗尽垂直沟道双栅结构，从而增大器件的开态驱动电流。该结构在高集成度、低压低功耗的存储器和逻辑电路方面，具有很高的应用价值。本发明还提出了这种新型结构的制备方法，结合了三种工艺技术：替代栅技术、锗作牺牲层和锗的选择腐蚀、选择外延技术，在一个单元面积上形成两个全耗尽双栅垂直沟道器件，而且全耗尽双栅器件的两个关键尺寸，都可以得到精确控制，完全不依赖于光刻技术。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 沟道 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种场效应晶体管，其特征在于：在单位面积上有两个全耗尽的双栅垂直沟道，沟道长度为20～50纳米，沟道区厚度为10～30纳米。
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