[发明专利]一种超低电压的CMOS电感电容谐振腔压控振荡器

摘要

本发明属于压控振荡器技术领域，本发明是在传统的对地引入相应并接电感、电容后的低电压电感电容压控振荡器基础上实现的，本发明的特征在于：它是通过把两个N型的MOS管的衬底分别连接到电源的正电压端以降低晶体管的阈值来实现超低电压电感电容压控振荡器的，所述相互并接的电感电容的一个连接点是与所述两个N型MOS管的源极相连的。本发明中晶体管阈值低，从而功耗也小。在SMIC0.18微米工艺条件下，工作电压可以低至0.4伏，而平均电流只有2.6毫安。本发明适用于手持移动设备的锁相环频率合成器中，也适用于其他电感、电容低电压压控振荡器中。

主权项

1.一种超低电压的CMOS电感电容谐振腔压控振荡器，其特征在于，该压控振荡器是通过把N型MOS管的衬底连接到电源的正电压端从而降低晶体管的阈值来实现低电压压控振荡器的，该压控振荡器含有：电感(L1)和电感(L2)，两者相互串接，串接后接电源正电压；MOS管(M3)和MOS管(M4)，两者反向串接，串接后接电压控制信号输入端，反向串接的后另外两端是和所述串接后的电感(L1)、(L2)的两端分别相连，同时所述串接后两端分别由寄生的电容(C1)和电容(C2)，所述的MOS管(M3)和MOS管(M4)在这里作为压控可变电容使用；NMOS管(M1)和NMOS管(M2)，各自得衬底接电源正电压端，所述的(M1)管和(M2)管的漏极各自分别反向串接的后所述(M3)管和(M4)管的另外两个端点相连，所述(M1)管的栅极和(M2)管的漏极相连，所述(M2)管的栅极和(M1)管的漏极相连；电容(Cs)和电感(Ls)，两者相互并接，一个并接点同时与所述的(M1)管和(M2)管的漏极相连，而另外一个并接点接地。