[发明专利]具有多种垂直排列电容区域的电容元件有效
| 申请号： | 200510087360.0 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1819194A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈岳猷;张家龙;赵治平;陈俊宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种电容元件，可于一集成电路的相同布局区域中，选择性结合金属－绝缘层－金属(MIM)、金属－氧化层－金属(MOM)和变容二极管区域，两或多种电容区域形式，被垂直安排于一基板上用以形成一电容元件，此可在不占据额外布局区域的情况下，增加此电容元件每单位的电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多种 垂直 排列 电容 区域 元件 | ||
【主权项】：
1、一电容元件，其特征在于其包括：一变容二极管区域形成于一基板上；一金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal)电容区域形成于该变容二极管区域上；以及一金属-绝缘层-金属(metal-isolator-metal)电容区域形成于该金属-氧化物-金属电容区域的顶端，其中该变容二极管区域、该金属-氧化物-金属电容区域和该金属-绝缘层-金属电容区域是垂直排列用以提供一增强的单元电容值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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