[发明专利]使用一粘附晶圆制程来形成三种尺寸结构有效
| 申请号： | 200510087361.5 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1825570A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张发源;吴华书;赖宗沐;吴朝阳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/762;H01L21/20;B81B1/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造微电子机械系统(micro－electro－mechanical，MEMS)的方法，此方法包括提供一具有绝缘层于其上的第一基板。一支架粘附于绝缘层上，且此第一基板被薄化。接着，多个洞穴形成于此第一基板上，且此第一基板被翻转并与一集成电路基板进行贴合，使得洞穴面对集成电路基板的表面。接着移除此支架，藉以提供一其上形成有多个面对集成电路基板洞穴的第一基板，且一绝缘层覆盖此第一基板。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 粘附 晶圆制程来 形成 尺寸 结构 | ||
【主权项】：
1、一种制造一半导体元件的制程，其特征在于该制程至少包括以下步骤：提供一具有一第一面和一第二面的一第一基板，且一绝缘层形成于该第一基板的该第二面上；粘附一支架于该绝缘层上；形成复数个洞穴于该第一基板的该第一面上；以及粘接该第一基板与一第二基板，其中该第二基板至少包括一集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
