[发明专利]在自刷新模式下进行自动刷新的半导体存储器件有效
| 申请号： | 200510087401.6 | 申请日： | 2005-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1783338A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 朴泽善;李润相;李祯培 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹;邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了与多存储体同步动态存取存储器(SDRAM)电路、模块和存储系统一起使用的方法和装置。在所描述的一个实施例中，SDRAM电路接收用于自动刷新操作的存储体地址，并对指定的存储体和对当前刷新行执行自动刷新操作。该存储器件允许在对所有存储体和当前刷新行完成自动刷新操作之前进入自刷新模式。该存储器件在对新行执行自刷新操作之前完成对当前刷新行的刷新操作。还描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 刷新 模式 进行 自动 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于运行同步存储器件的方法，该存储器件具有多个存储单元阵列存储体，该方法包括：接收外部刷新存储体地址；对对应于该外部刷新存储体地址的存储单元阵列存储体的当前行执行自动刷新操作；通过进入自刷新模式来响应功率下降命令；以及在将当前行更新为自刷新模式中的首个新行之前，对所有存储单元阵列存储体完成针对当前行的自动刷新操作。
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