[发明专利]半导体集成电路器件

摘要

本发明提供一种减小了漏电流的具有SRAM的半导体集成电路器件。在包括多个存储单元的SRAM中，提供衬底偏置切换电路，其中每个存储单元由存储器和选择MOSFET构成，在所述存储器中，两个反相器电路的输入端和输出端交叉连接，所述选择MOSFET设置在存储器和互补位线之间，并且其栅极连接到字线。在正常操作中，衬底偏置切换电路将电源电压提供给其中形成存储单元的P沟道MOSFET的N型阱，并将电路的地电位提供给其中形成N沟道MOSFET的P型阱。在备用状态下，衬底偏置切换电路将比电源电压低并且通过它使N型阱和P沟道MOSFET的源极之间的PN结不被正向偏置的预定电压提供给N型阱，并且将比地电位高并通过其使P型阱和N沟道MOSFET的源极之间的PN结不被正向偏置的预定电压提供给P型阱。

主权项

1、一种半导体集成电路器件，包括：多个存储单元，每个存储单元由存储器和选择MOSFET构成，在所述存储器中，两个反相器电路的输入端和输出端交叉连接，所述选择MOSFET设置在所述存储器和互补位线之间，并且所述选择MOSFET的栅极连接到字线；地址选择电路，用于在写和读操作的任何操作都不在所述存储单元上进行的备用状态下，将所有字线设置为非选择电平；和衬底偏置切换电路，其中，在正常操作中，所述衬底偏置切换电路将电源电压提供给其中形成所述存储单元的P沟道MOSFET的N型阱，以及将电路的地电位提供给其中形成N沟道MOSFET的P型阱，和其中，在所述备用状态下，所述衬底偏置切换电路将比所述电源电压低并且通过其使所述N型阱和所述P沟道MOSFET的源极之间的PN结不被正向偏置的预定电压提供给所述N型阱，以及将比所述地电位高并通过其使所述P型阱和所述N沟道MOSFET的源极之间的PN结不被正向偏置的预定电压提供给所述P型阱。