[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510087664.7 | 申请日： | 2000-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1722447A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 井口直;姬野嘉朗;角田弘昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/78;H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够防止因浮栅间电荷移动导致的数据破坏，并且提高可靠性的非易失性半导体存储器件。在硅衬底(1)中埋入划分带状元件形成区域(2)的元件分隔绝缘膜(4)。通过衬底(1)上的第一栅绝缘膜(5)形成浮栅(6)，再通过第二栅绝缘膜(7)形成控制栅(8)。形成与控制栅(8)自对准的源、漏扩散层(12)。在邻接的存储单元之间，通过隔缝(13)在元件分隔绝缘膜(4)上，对浮栅(6)上的第二栅绝缘膜(7)与浮栅(6)一起进行分隔。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于包括：半导体衬底；在半导体衬底上由元件分隔绝缘膜所划分的多个元件形成区域；通过所述各元件形成区域的第一栅绝缘膜，分隔每个元件形成区域所形成的浮栅；在浮栅上形成的、由元件分隔绝缘膜切断分隔的第二栅绝缘膜；通过第二栅绝缘膜在所述浮栅上形成的控制栅；以及与控制栅自对准地形成的源、漏扩散层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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