[发明专利]矩阵式发光二极体及其制造方法

摘要

本发明矩阵式发光二极体及其制造方法，前者包含有一基板、一电路层、一反射盖、复数发光二极体晶片、至少一正/负极接脚以及一透镜模组；本发明制造矩阵式发光二极体的方法，首先，提供基板；之后，设置电路层于基板，电路层设有正/负极；然后，设置反射盖于电路层，反射盖设置有矩阵排列的复数开口；接续，设置每一发光二极体晶片于每一开口，发光二极体晶片的正/负极与电路层的正/负极电性相接；之后，设置正/负极接脚于基板，且正/负极接脚与电路层的正/负极电性相接；最后，设置透镜模组于反射盖，封盖发光二极体晶片。

主权项

1、一种矩阵式发光二极体，其包含有：一基板；一电路层，设于该基板，该电路层设有至少一正极与至少一负极；一反射盖，设于该电路层，该反射盖设有复数开口，该开口呈矩阵排列；复数发光二极体晶片，分别设置于每一该开口，每一该发光二极体晶片皆具有一正极与一负极，该发光二极体晶片的该正极与该负极与该电路层的该正极和该负极，电性相接；至少一正极接脚，穿设过该基板并与该电路层的该正极电性连接；至少一负极接脚，穿设过该基板并与该电路层的该负极电性连接。