[发明专利]场发射装置及使用其的场发射显示器无效
| 申请号： | 200510087859.1 | 申请日： | 2005-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1737984A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 朴永俊;郑太远 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/02 | 分类号： | H01J29/02;H01J29/04;H01J1/304;H01J31/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有优秀的电子束聚焦的场发射装置以及使用该场发射装置的场发射显示器。该场发射装置包括：基板；第一阴极电极，形成在基板上；绝缘层，形成在基板和第一阴极电极上，并具有暴露第一阴极电极部分的凹进部分；第二阴极电极，形成在绝缘层上，并电连接到第一阴极电极；电子发射器，形成在第一阴极电极由绝缘层暴露的部分上；栅极绝缘层，形成在第二阴极电极上，并具有暴露凹进部分的空腔；以及栅极电极，形成在栅极绝缘层上，并具有与空腔对齐的栅极孔。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 装置 使用 显示器 | ||
【主权项】：
1、一种场发射装置，包括：基板；第一阴极电极，形成在所述基板上；绝缘层，形成在所述基板和所述第一阴极电极上，并具有暴露所述第一阴极电极部分的凹进部分；第二阴极电极，形成在所述绝缘层上，并电连接到所述第一阴极电极；电子发射器，形成在所述第一阴极电极由所述绝缘层暴露的部分上；栅极绝缘层，形成在所述第二阴极电极上，并具有暴露所述凹进部分的空腔；以及栅极电极，形成在所述栅极绝缘层上，并具有与所述空腔对齐的栅极孔。
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