[发明专利]磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法有效
| 申请号： | 200510087878.4 | 申请日： | 2005-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1747059A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 金泰完;朴玩濬;朴祥珍;黄仁俊;权纯宙;金永根;理查德·J·甘比诺 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01F10/14;H01F41/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法。该磁膜结构包括：下磁膜；形成在该下磁膜上的隧穿膜；形成在该隧穿膜上的上磁膜，其中该下和上磁膜是铁磁膜，当该下和上磁膜具有相反的磁化方向时，在其间形成电化学势差。 | ||
| 搜索关键词： | 膜结构 及其 制造 方法 半导体器件 运行 | ||
【主权项】：
1.一种多功能磁膜结构，包括：下磁膜；形成在该下磁膜上的隧穿膜；形成在该隧穿膜上的上磁膜；其中，该下和上磁膜是当该下和上磁膜具有相反的磁化方向时在其间形成电化学势差的铁磁膜。
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